Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)

Транзистор IRFP4568PBF 171A n-канал (TO-247AC)

Код заказа: IRFP4568PBF

605,70 руб.

К-во	20+	100+
Цена	573,25 руб.	529,98 руб.

Цена указана за штуку без НДС 20%

Полевой транзистор (MOSFET) с кодом заказа IRFP4568PBF в корпусе TO-247AC. N-канал. 150В Ток стока составляет 171А. Рассеиваемая мощность 517 Вт. Больше →

В наличии: 343 ед.

Кол-во:

IGBT модуль GD150HFX65C1S 650В 150А

Код заказа: GD150HFX65C1S

3952,00 руб.

К-во	5+	20+
Цена	3900,00 руб.	3848,00 руб.

Цена указана за штуку без НДС 20%

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 437 Вт.... Больше →

В наличии: 66 ед.

Кол-во:

IGBT модуль GD150HFY120C1S 1200В 150А

Код заказа: GD150HFY120C1S

3900,00 руб.

К-во	5+	20+
Цена	3858,40 руб.	3827,20 руб.

Цена указана за штуку без НДС 20%

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFY120C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 1102... Больше →

В наличии: 14 ед.

Кол-во:

IGBT модуль GD450HFY120C6S 1200В 450А

Код заказа: GD450HFY120C6S

9048,00 руб.

К-во	5+	10+
Цена	8944,00 руб.	8840,00 руб.

Цена указана за штуку без НДС 20%

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD450HFY120C6S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 450А. Рассеиваемая мощность 2173... Больше →

В наличии: 11 ед.

Кол-во:

IGBT модуль GD600HFX65C6S 650В 600А

Код заказа: GD600HFX65C6S

12376,00 руб.

К-во	5+	10+
Цена	12168,00 руб.	11960,00 руб.

Цена указана за штуку без НДС 20%

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD600HFX65C6S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650В. Ток коллектора составляет 600А. Рассеиваемая мощность 1648... Больше →

В наличии: 13 ед.

Кол-во:

Транзистор WMK80R260S

Код заказа: WMK80R260S

Цена указана за штуку без НДС 20%

Полевой транзистор (MOSFET) WMK80R260S в корпусе TO-220 производства Wayon.

В наличии: 4 ед.

Кол-во: